4月4日晚間，證監會正式同意廣州慧智微電子股份有限公司首次公開發行股票并在科創板上市的注冊申請，公司即將于上交所掛牌上市。
慧智微總部位于廣州，在廣州和上海設有研發中心，在深圳、上海、北京和西安設有銷售及技術支持中心，建有廣東省工程技術研究中心，博士后創新基地。是世界首款商用4G可重構射頻前端產品的發布者，也是國內首家量產出貨的5G射頻前端供應商。
2021年，慧智微電子5G產品榮獲2021 GTI Honorary Award大獎，是GTI Awards獎項成立以來，首次獲此殊榮的中國射頻前端公司，此后慧智微還登上了《2022年中全球獨角獸榜》，估值達120億元。
慧智微是一家為智能手機、物聯網等領域提供射頻前端的芯片設計公司，主營業務為射頻前端芯片及模組的研發、設計和銷售。公司具備全套射頻前端芯片設計能力和集成化模組研發能力，技術體系以功率放大器（PA）的設計能力為核心，兼具低噪聲放大器（LNA）、射頻開關（Switch）、集成無源器件濾波器（IPD Filter）等射頻器件的設計能力，產品系列覆蓋的通信頻段需求包括 2G、3G、4G、3GHz 以下的 5G 重耕頻段、3GHz~6GHz 的 5G 新頻段等，可為客戶提供無線通信射頻前端發射模組、接收模組等，其產品應用于三星、OPPO、vivo、榮耀等國內外智能手機品牌機型，并進入聞泰科技、華勤通訊等一線移動終端設備 ODM廠商和移遠通信、廣和通、日海智能等頭部無線通信模組廠商。
自 2011 年成立以來，慧智微一直專注于射頻前端芯片領域，基于多年的技術積累，提出可重構射頻前端平臺，采用基于“絕緣硅（SOI）+砷化鎵（GaAs）”兩種材料體系的可重構射頻前端技術路線，隸屬于工信部并由中國科學技術協會管理的中國通信學會向慧智微等提交的“多頻多模移動終端可重構射頻芯片關鍵技術與產業化應用”項目授予了 2021 年通信學會科學技術一等獎，認為“基于SOI 和 GaAs 的 SiP 架構的可重構射頻前端設計方案支持軟件控制和調諧，使得目標頻段模式下的性能得到進一步優化，解決了傳統射頻前端芯片無法有效進行多頻段多模式覆蓋的問題”，經該獎項的評價委員會認定，“該項目總體技術達到廣州慧智微電子國際先進水平，其中 SOI 和 GaAs 的 SiP 架構的可重構射頻前端芯片技術處于國際領先水平”
繼絕緣硅在低噪聲放大器、射頻開關等器件成為市場主流材料后，慧智微將絕緣硅引入到功率放大器領域并成功商用，掌握高頻模擬信號智能調控的實現路徑，形成了自主的可重構射頻前端架構，并將其拓展到 LNA、IPD 濾波器等領域。目前公司可重構射頻前端架構的相關產品累計出貨已經超過 1 億顆，充分驗證了公司技術路線的適用性和產品質量的可靠性。
在射頻功率放大器領域，國際射頻前端龍頭企業采用全砷化鎵功率放大器結合體硅控制器的寬帶設計架構，為國產廠商設置了較大的專利門檻、規模門檻和盈利門檻，慧智微憑借底層技術架構創新突破國際巨頭的專利壁壘，提升性能，優化成本，基于自研架構帶來的高集成度優勢還順應了 5G 射頻前端的發展趨勢，為公司的技術升級和產品迭代奠定堅實的基礎。
慧智微此次新股發行擬融資15.04億元，主要用于芯片測試中心建設項目（2.58億元），總部基地及研發中心建設項目（7.46億元）和補充流動資金（5億元）。
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